Wikiwand AI

Galliumantimonid

chemische Verbindung From Wikipedia, the free encyclopedia

Der Verbindungshalbleiter Galliumantimonid (GaSb) ist ein direkter Halbleiter mit einer Bandlücke von 0,72 eV (300 K).[8] Er besteht aus den Elementen Gallium (Ga) und Antimon (Sb).

Schnelle Fakten Kristallstruktur, Allgemeines ...
Kristallstruktur
Struktur von Galliumantimonid
_ Ga3+ 0 _ Sb3−
Allgemeines
Name Galliumantimonid
Verhältnisformel GaSb
Kurzbeschreibung

geruchloser, schwarz-grauer, metallisch glänzender Feststoff[1]

Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer 12064-03-8
EG-Nummer 235-058-8
ECHA-InfoCard 100.031.859
PubChem 4227894
Wikidata Q418807
Eigenschaften
Molare Masse 191,48 g·mol−1
Aggregatzustand

fest

Dichte

5,61 g·cm−3 [2]

Schmelzpunkt

712 °C[3]

Löslichkeit

nahezu unlöslich in Wasser[4]

Brechungsindex

3,8[5]

Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung aus Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 (CLP),[6] ggf. erweitert[7]
Gefahrensymbol Gefahrensymbol

Achtung

H- und P-Sätze H: 302332411
P: 273[7]
Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0°C, 1000 hPa). Brechungsindex: Na-D-Linie, 20 °C
Schließen

Gewinnung und Darstellung

Galliumantimonid kann durch Zusammenschmelzen äquivalenter Mengen Gallium und Antimon in einer indifferenten Atmosphäre gewonnen werden.[1]

Eigenschaften

Wie bei den meisten III-V-Halbleitern ist die Kristallstruktur die Zinkblende-Struktur, die Gitterkonstante beträgt 6,09593 Ångström, dies entspricht 3,53·1022 Atome/cm3.[2]

Anders als die meisten anderen Halbleiter ist es nicht möglich, Galliumantimonid semiisolierend herzustellen. Nominell undotiertes Galliumantimonid hat nämlich eine natürliche p-Leitfähigkeit (1016 bis 1017 cm−3).[3] Der natürliche Akzeptor ist noch Thema aktueller Diskussion. Als dessen Ursache wird eine Gallium-Leerstelle bzw. ein Gallium-Leerstellenkomplex oder ein Galliumatom auf einem Antimon-Gitterplatz für möglich gehalten. Galliumantimonid ist diamagnetisch.[1]

Verwendung

GaSb ist für die Herstellung von optoelektronischen Bauelementen, wie z. B. Laserdioden mit geringer Schwellspannung, Photodetektoren mit hoher Quanteneffizienz oder Hochfrequenzbauelemente, von zunehmender Bedeutung.

Einzelnachweise

Related Articles

Timelines

Top Qs

Fact Checks