Galliumantimonid

chemische Verbindung From Wikipedia, the free encyclopedia

Der Verbindungshalbleiter Galliumantimonid (GaSb) ist ein direkter Halbleiter mit einer Bandlücke von 0,72 eV (300 K).[8] Er besteht aus den Elementen Gallium (Ga) und Antimon (Sb).

Schnelle Fakten Kristallstruktur, Allgemeines ...
Kristallstruktur
Struktur von Galliumantimonid
_ Ga3+ 0 _ Sb3−
Allgemeines
Name Galliumantimonid
Verhältnisformel GaSb
Kurzbeschreibung

geruchloser, schwarz-grauer, metallisch glänzender Feststoff[1]

Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer 12064-03-8
EG-Nummer 235-058-8
ECHA-InfoCard 100.031.859
PubChem 4227894
Wikidata Q418807
Eigenschaften
Molare Masse 191,48 g·mol−1
Aggregatzustand

fest

Dichte

5,61 g·cm−3 [2]

Schmelzpunkt

712 °C[3]

Löslichkeit

nahezu unlöslich in Wasser[4]

Brechungsindex

3,8[5]

Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung aus Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 (CLP),[6] ggf. erweitert[7]
Gefahrensymbol Gefahrensymbol

Achtung

H- und P-Sätze H: 302332411
P: 273[7]
Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0°C, 1000 hPa). Brechungsindex: Na-D-Linie, 20 °C
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Gewinnung und Darstellung

Galliumantimonid kann durch Zusammenschmelzen äquivalenter Mengen Gallium und Antimon in einer indifferenten Atmosphäre gewonnen werden.[1]

Eigenschaften

Wie bei den meisten III-V-Halbleitern ist die Kristallstruktur die Zinkblende-Struktur, die Gitterkonstante beträgt 6,09593 Ångström, dies entspricht 3,53·1022 Atome/cm3.[2]

Anders als die meisten anderen Halbleiter ist es nicht möglich, Galliumantimonid semiisolierend herzustellen. Nominell undotiertes Galliumantimonid hat nämlich eine natürliche p-Leitfähigkeit (1016 bis 1017 cm−3).[3] Der natürliche Akzeptor ist noch Thema aktueller Diskussion. Als dessen Ursache wird eine Gallium-Leerstelle bzw. ein Gallium-Leerstellenkomplex oder ein Galliumatom auf einem Antimon-Gitterplatz für möglich gehalten. Galliumantimonid ist diamagnetisch.[1]

Verwendung

GaSb ist für die Herstellung von optoelektronischen Bauelementen, wie z. B. Laserdioden mit geringer Schwellspannung, Photodetektoren mit hoher Quanteneffizienz oder Hochfrequenzbauelemente, von zunehmender Bedeutung.

Einzelnachweise

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