Indiumphosphid

Indiumphosphid ist eine Halbleiterverbindung aus der Gruppe der binären III-V-Verbindungshalbleiter, die in der Hochfrequenztechnik für Laser für die dämpfungsarme langreichweitige Datenkommunikation um 1550 nm über Glasfaserkabel, in der Hochleistungselektronik sowie der Herstellung von Integrierten Schaltkreisen (Sandwich-Chips) mit Taktfrequenzen bis 1 THz und darüber^[3] und bei Bauelementen im Bereich der Hochfrequenztechnik wie der Gunndiode eingesetzt wird. Grund für diese Einsatzbereiche ist die gegenüber Silicium sehr hohe Elektronenbeweglichkeit im Gitter.

Schnelle Fakten Kristallstruktur, Allgemeines ...

Kristallstruktur
_ In3+ 0 _ P3−
Allgemeines
Name	Indiumphosphid
Andere Namen	Indium(III)-phosphid
Verhältnisformel	InP
Kurzbeschreibung	dunkelgrauer Feststoff[1]
Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer 22398-80-7 EG-Nummer 244-959-5 ECHA-InfoCard 100.040.856 PubChem 31170 Wikidata Q416291
Eigenschaften
Molare Masse	145,79 g·mol−1
Aggregatzustand	fest
Dichte	4,79 g·cm−3[1]
Schmelzpunkt	1070 °C[1]
Löslichkeit	praktisch unlöslich in Wasser[1]
Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung aus Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 (CLP),[2] ggf. erweitert[1] Gefahr H- und P-Sätze H: 350​‐​361f​‐​372 P: 201​‐​280​‐​308+313[1]
MAK	aufgehoben, da cancerogen[1]
Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa).

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Indiumphosphid besitzt eine direkte Bandlücke, wodurch die Verbindung für Laserdioden, LEDs, Detektoren und andere Anwendungen im Bereich der Optoelektronik gut geeignet ist. Weiterhin eignet sich Indiumphosphid als Basismaterial für photonische Kristalle.