Indiumtrimethyl

chemische Verbindung From Wikipedia, the free encyclopedia

Indiumtrimethyl ist eine chemische Verbindung aus der Gruppe der metallorganischen Verbindungen.

Schnelle Fakten Strukturformel, Allgemeines ...
Strukturformel
Strukturformel von Indiumtrimethyl
Allgemeines
Name Indiumtrimethyl
Andere Namen

Trimethylindium

Summenformel C3H9In
Kurzbeschreibung

weißer Feststoff[1]

Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer 3385-78-2
EG-Nummer 222-200-9
ECHA-InfoCard 100.020.183
PubChem 76919
Wikidata Q4463086
Eigenschaften
Molare Masse 159,92 g·mol−1
Aggregatzustand

fest[1]

Dichte

1,568 g·cm−3[2]

Schmelzpunkt

88 °C[3]

Siedepunkt

136 °C[3]

Löslichkeit

reagiert mit Wasser[1]

Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung[2]
Gefahrensymbol Gefahrensymbol

Gefahr

H- und P-Sätze H: 250260314
EUH: 014
P: ?
Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0°C, 1000 hPa).
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Gewinnung und Darstellung

Indiumtrimethyl kann durch Grignard-Reaktion von Indium und Magnesium mit Brommethan[3]

oder durch Metathesereaktion von Indium(III)-chlorid oder Indium(III)-bromid mit Methyllithium gewonnen werden.[3][4]

Es kann auch durch eine Transmetallierungsreaktion von metallischem Indium und Dimethylquecksilber bei 135 °C dargestellt werden.[3][4]

Eigenschaften

Indiumtrimethyl ist ein weißer pyrophorer Feststoff.[1] Er besteht aus monomeren Molekülen im Gaszustand und in Lösung (Benzol, Cyclopentan), ist aber tetramer im festen Zustand. Das Molekül besitzt eine trigonal-planare Struktur.[4] Die Verbindung ist verhältnismäßig reaktionsträge. Eine heftige Reaktion erfolgt mit Luft und kaltem Wasser. Mit Säuren erfolgt rasche Hydrolyse unter Methanentwicklung. Sie ist löslich in Ether, Petrolether, Cyclohexan, Benzol und Methylenchlorid, mit Alkoholen tritt Reaktion ein. Mit Elektronendonatoren wie Trialkylaminen werden Addukte gebildet.[4]

Verwendung

Indiumtrimethyl wird zur Herstellung von Indiumphosphid verwendet.[5] In der Halbleiterproduktion wird es als Dotierungsreagenz bzw. zur Erzeugung von III/V-Halbleiterschichten benutzt.[4]

Einzelnachweise

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