Kennbuchstaben von Halbleiterbauelementen
Organisation
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Kennbuchstaben von Halbleiterbauelementen werden zur schnellen Identifikation von typischen elektrischen Bauelementen eingesetzt, die auf Halbleitern basieren.
Pro-Electron-Norm / EECA
Die Pro-Electron-Norm, heute durch die EECA (European Electronic Component Manufacturers Association, dt. „Europäische Vereinigung der Hersteller elektronischer Bauelemente“) geführt, sieht dazu folgendes Schema vor:[1]
- 1. Buchstabe: Halbleitermaterial (siehe Tabelle)
- 2. Buchstabe: Halbleitertyp (siehe Tabelle)
- 3. Buchstabe (optional): Anwendungsgebiet – nur angegeben, wenn kommerzielle/militärische höhere Anforderungen an das Bauteil in der Entwicklung berücksichtigt wurden. Häufig verwendet werden die Buchstaben R, S, T, V, W, X, Y oder Z, aber auch andere können vorkommen. Diese Zeichen bezeichnen keine speziellen Eigenschaften.
Es folgt eine 2- bis 4-stellige Ziffernfolge, die das Bauteil individualisiert und auf ein bestimmtes Datenblatt festlegt. Ist ein Halbleiter mit 3 Buchstaben gekennzeichnet, dann ist die folgende Ziffernkombination in der Regel zwei- oder dreistellig, andernfalls ist die folgende laufende Nummer drei- oder, selten, vierstellig. Daran können ggf. noch weitere Buchstaben- oder Ziffernkombinationen angehängt sein, die beispielsweise verschiedene Spannungsfestigkeits- oder Verstärkungswerte angeben.
| 1. Zeichen | Bedeutung |
|---|---|
| A | Germanium |
| B | Silizium |
| C | Galliumarsenid |
| D | Keramik |
| R | Verbindungshalbleiter, z. B. Cadmiumsulfid |
...| 2. Zeichen | Bedeutung | Wärmewiderstand Sperrschicht-Gehäuse (soweit nach Gehäusetyp notwendig) |
Bemerkung (weitere wichtige Eigenschaft) |
|---|---|---|---|
| A | Diode | ||
| B | Kapazitätsdiode | ||
| C | Tonfrequenz-Transistor | > 15 K/W | |
| D | Leistungs-Tonfrequenz-Transistor | < 15 K/W | |
| E | Tunneldiode | ||
| F | HF-Transistor | > 15 K/W | |
| G | Hybride | ||
| H | Diode | magnetfeldabhängig | |
| K | HF-Transistor | > 15 K/W | |
| L | Leistungs-HF-Transistor | < 15 K/W | |
| M | Mischer | ||
| N | Optokoppler | ||
| P | Strahlungsempfänger | Phototransistor, Photodiode | |
| Q | Strahlungserzeuger | LED, Laser-Diode | |
| R | Thyristor oder Triac | kleine Leistung | |
| S | Schalttransistor | > 15 K/W | |
| T | Thyristor oder Triac | ||
| U | Leistungs-Schalttransistor | < 15 K/W | |
| V | Antenne | ||
| W | Oberflächenwellenbauteil | ||
| X | Diode | ||
| Y | Diode | ||
| Z | Z-Diode |
Weitere Normen
- JEDEC-Norm JESD370B (USA), 1N... für Dioden; 2N... für Transistoren
- JIS-Norm (Japan), 2SA..., 2SB... für PNP- und 2SC..., 2SD... für NPN-Transistoren, 2SJ...,2SK... für MOS-Fets, 1S... für Dioden
- Industriestandards: Viele Halbleiterhersteller sind dazu übergegangen, eigene, firmenspezifische Kennungen zu verwenden, Motorola führte beispielsweise MJ bzw. MJE für Transistoren ein.
Weblinks
- Pro Electron: European Type Designation Code System for Electronic Components. 16th ed. ( vom 14. Juli 2017 im Internet Archive) (Halbleiterbezeichnung nach Pro Electron)
- European Electronic Component Manufacturers Association (EECA), die Folgeorganisation der Pro-Electron
- SMD-Halbleiter Kennzeichnungen auf STSHome ( vom 28. September 2007 im Internet Archive)
- Bezeichnungsschlüssel von Renesas mit Verweis auf die JIS C7012; enthält Erklärung für 2SA/2SB/2SC/2SD/2SJ/2SK/3SK ( vom 4. März 2016 im Internet Archive; PDF; 54 kB)