LPDDR
mémoire basse consommation à destination des appareils nomades
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La mémoire LPDDR (en anglais : Low Power Double Data Rate, littéralement : « Vitesse de données double à faible consommation »), ou LPDDR SDRAM, également appelée DDR mobile (abrégé en mDDR), est un type de mémoire, reprenant la technologie DDR SDRAM, en l'adaptant aux périphériques mobiles (smartphone, ordinateur portable…), via des technologies d'économie d'énergie.
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Cet article est une ébauche concernant l’informatique et l’électronique.
LPDDR1
La première version, parfois appelée LPDDR1, est de la DDR SDRAM, comportant plusieurs modifications mineures afin de réduire l'enveloppe énergétique globale.
La plus grosse économie énergétique est liée à la tension qui passe de 2,5 V pour la DDR pour PC de bureau à 1,8 V pour la DDR mobile. Les autres économies d'énergie sont le besoin moins important de rafraîchissement à basse température, le rafraîchissement automatique pouvant se limiter à une partie de la table mémoire, et un mode arrêt profond (Deep Power Down en anglais) qui sacrifie le contenu de la mémoire. De plus, les puces sont plus petites, utilisant moins d'espace sur la carte électronique que leur équivalent non mobile. Contrairement à la DDR, qui est généralement installée dans des modules amovibles, la LPDDR est généralement soudée directement sur la carte mère de l’appareil pour économiser de l’espace et améliorer l’efficacité.
Samsung et Micron sont les deux principaux fournisseurs de ces technologies, qui sont utilisées sur des tablettes telles que l'iPad d'Apple et les Galaxy Tab de Samsung.
Sont ensuite sortis les modèles LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4 puis LPDDR5, améliorant successivement les caractéristiques de ce type de mémoire. Les versions E ont une fréquence de 266,7 MHz, au lieu de 200 MHz, augmentant ainsi sensiblement leur vitesse.
Caractéristiques techniques comparées
| LP-DDR | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 1E | 2 | 2E | 3 | 3E | 4 | 4X | 5 | 5X | |
| Fréquence d'horloge de la matrice mémoire (MHz) | 200 | 266,7 | 200 | 266,7 | 200 | 266,7 | 200 | 266,7 | 400 | 533 |
| Taille de la mémoire tampon de prélecture | 2n | 4n | 8n | 16n | ||||||
| Fréquence d'horloge du bus d'E/S (MHz) | 200 | 266,7 | 400 | 533,4 | 800 | 1067 | 1600 | 2134 | 3200 | 4267 |
| Taux de transfert des données (DDR) (MT/s) | 400 | 533,4 | 800 | 1067 | 1600 | 2134 | 3200 | 4267 | 6400 | 8533 |
| Tension(s) d'alimentation (V) | 1,8 | 1,2 - 1,8 | 1,2 -1,8 | 1,1 - 1,8 | 0,5 - 1,05 - 1,8 | |||||
| Bus de Commande/adressage | 19 bits, SDR | 10 bits, DDR | 6 bits, SDR | 7 bits, DDR | ||||||
| Année de sortie | 2006 | 2009 | 2012 | 2014 | 2017 | 2019 | 2021 | |||
