プラズマCVD

成膜速度が速く、処理面積も大きくできる、凹凸のある表面でも満遍なく製膜できるなど、化学気相成長の主な長所を多く有する。

さらにプラズマを援用することで、熱CVDなどに比較すると下記のような長所を有する。

• 低い温度でも、より緻密な薄膜を形成できる。
• 熱によるダメージや層間での相互拡散を抑制できる。
• 熱分解しにくい原料でも、実用的な堆積速度が得られやすい。
• 熱分解温度の異なる原料同士を用いても、様々な組成比の薄膜を形成できる。

プラズマCVDにおいては、直流(DC)・高周波(RF)・マイクロ波などを供給することで、原料ガスをプラズマ状態にする。

これによって原料ガスの原子や分子は励起され、化学的に活性となる^[1]。

高周波プラズマCVD法は、特に薄膜シリコン膜の形成への利用をきっかけとして広く用いられるようになった。液晶など平面ディスプレイの薄膜トランジスタ素子(TFT)や、薄膜シリコン太陽電池の製造で使われるほか、超LSIの層間絶縁膜の形成などにも用いられる^[1]。 また高密度プラズマCVD法は、DRAMやLSIにおけるCMP(Chemical Mechanical Polishing)対応の層間絶縁膜の形成など、高速で緻密な製膜や平坦性が求められる用途に利用される。