Ecuación del diodo de Shockley

La ecuación del diodo de Shockley es el modelo matemático más empleado para el estudio del diodo. Nombrada así en honor a William Bradford Shockley, la ecuación permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayoría de las aplicaciones. La ecuación que relaciona la intensidad de corriente y la diferencia de potencial en este dispositivo es:

${\displaystyle I_{\text{D}}=I_{\mathrm {S} }\left(T\right)\left(e^{\frac {V_{\text{D}}}{nV_{\text{T}}}}-1\right)}$

Donde:

I_D es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo.

I_S es la corriente de saturación dependiente de la temperatura de juntura (${\displaystyle I_{\text{S}}(T)\approx {10^{-12}\dots 10^{-6}\;\mathrm {A} }}$).

V_D es la diferencia de potencial en sus terminales.

n es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).

V_T es la tensión térmica de juntura ${\displaystyle V_{\text{T}}={\frac {k_{\mathrm {B} }\cdot T}{q}}\approx 25\;\mathrm {mV} }$ a 20 °C

T es la temperatura absoluta de juntura

k_B es la constante de Boltzmann

q es la carga elemental del electrón .