Latencia CAS

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Latencia CAS (del inglés column access strobe latency) es el tiempo (medido en número de ciclos de reloj) que transcurre entre que el controlador de memoria ha finalizado de seleccionar una fila de uno de sus bancos y, tras activar la selección de columna, el dato queda disponible en el bus de datos, o grabado si es una operación de escritura


Los datos son almacenados en celdas de memoria individuales, cada uno identificado de manera única por banco de memoria, fila y columna. Para tener acceso al DRAM, los controladores primero seleccionan el banco de memoria, luego una fila (usando el RAS), luego una columna (usando el CAS) y finalmente solicitan leer los datos de la posición física de la celda de memoria. La latencia CAS es el número de ciclos de reloj que transcurren desde que la petición de datos es enviada hasta que los datos son transmitidos desde el módulo.

Al seleccionar una tarjeta de memoria RAM, cuanto menor sea la latencia CAS (dada la misma velocidad de reloj), mejor será el rendimiento del sistema. La RAM DDR debería tener una latencia CAS de aproximadamente 3 u, óptimamente, 2 (y más recientemente tan bajo como 1,5). La RAM DDR2 puede tener latencias en los límites de 3 a 5.

La comparación entre velocidades de reloj podría resultar engañosa. La latencia CAS sólo especifica el tiempo entre la petición y el primer bit obtenido. La velocidad de reloj especifica la latencia entre bits. Así, leyendo cantidades importantes de datos, una velocidad de reloj más alta puede ser más eficiente en la práctica, incluso con una latencia CAS mayor de 5.

Las memorias DDR3, cuyas velocidades de reloj rondan desde los 1.333 MHz a mayores, pasando por 1.600 y 2.000 MHz, tienen CAS que van de 6 a 9 generalmente. Una memoria con CAS 6 y 1.600 MHz tiene normalmente mayor precio que otra con CAS 9 y 1.600 MHz, independientemente de su capacidad (1 o 2 Gb, por ejemplo), esto es normal ya que a igual frecuencia un CAS inferior implica un rendimiento superior.

A finales de 2012, el estándar más utilizado es DDR3 a 1600 MhZ, muchos módulos admiten subir la velocidad muy por encima de los 2000 MhZ pero el precio suele dispararse, especialmente considerando que no se suele notar mucha diferencia en el rendimiento.

Se denominan latencias de una memoria RAM a los diferentes retardos producidos en el acceso a los distintos componentes de esta. Estos retardos influyen en el tiempo de acceso a la memoria por parte de la CPU, el cual se mide en nanosegundos (10-9 s).

Resulta de particular interés en el mundo del overclocking el poder ajustar estos valores de manera de obtener el menor tiempo de acceso posible.

Estructura física de la memoria

La memoria está compuesta por un determinado número de celdas, capaces de almacenar un dato o una instrucción y colocadas en forma de tablero de ajedrez. En lugar de tener 64 posibles posiciones donde colocar piezas, tienen n posiciones. No solo existe un tablero, sino que existen varios. De esta forma la estructura queda en forma de tablero de ajedrez tridimensional.

NO FUNCIONA

Accesos a memoria

Cuando se desea acceder a la memoria, es imprescindible indicar el número de tablero, el número de fila dentro del tablero y el número de columna o celda dentro de esa fila, en ese orden.

El tiempo que tarda la memoria en colocarse en la posición necesaria es relativamente pequeño; sin embargo, son tantos los datos e instrucciones que se almacenan en la memoria, que al final el proceso puede llegar a hacerse lento.

Debido a que se van a leer/escribir muchas cosas de/en la memoria, se necesita un sistema que lea muchas celdas al mismo tiempo, sin transportar los datos de dichas celdas y a continuación transportar todos los datos a la vez (dato o instrucción, ya que es lo único que se almacena en la memoria). Este sistema de leer muchas celdas y después transportar es conocido como bus a ráfagas o burst.

Si por cada celda que se leyese, el dato/instrucción se transportara a su destino, la lectura/escritura de memoria sería un proceso demasiado lento.

Tipos de latencia

Existen varios tipos de latencia en las memorias. Las más importantes son:

  • CAS: indica el tiempo que tarda la memoria en colocarse sobre una columna o celda.
  • RAS: indica el tiempo que tarda la memoria en colocarse sobre una fila.
  • ACTIVE: indica el tiempo que tarda la memoria en activar un tablero.
  • PRECHARGE: indica el tiempo que tarda la memoria en desactivar un tablero.

Lectura o escritura en memoria

El proceso a seguir cuando se desea leer o escribir en la memoria será el siguiente:

  • Mandar una señal para activar el tablero y esperar a que termine el tiempo de activación (latencia ACTIVE).
  • Mandar una señal para saber cuál es la fila en la que se debe posicionar y esperar a su latencia (latencia RAS).
  • Mandar una señal para saber cuál es la columna o celda donde se debe posicionar y esperar (latencia CAS).

Tiempo de espera

Tiempo real

Latencias vs FSB (caso práctico)

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