3 µm
procédé de fabrication de semi-conducteurs
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3 µm (ou encore 3 000 nm) est l'évolution du procédé de fabrication des semi-conducteurs précédent à 10 µm. Cette technologie des semi-conducteurs a été atteinte en 1975 par les sociétés de semi-conducteurs, comme Intel.
Cet article est une ébauche concernant l’électronique.
Le successeur de ce procédé utilise une largeur de canal de 1.5 µm.
