Sulfure d'étain(II)

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Nom UICPAsulfure d'étain(II)
Synonymes

sulfure stanneux

Sulfure d'étain(II)
Image illustrative de l’article Sulfure d'étain(II)
__ Sn2+     __ S2−
Identification
Nom UICPA sulfure d'étain(II)
Synonymes

sulfure stanneux

No CAS 1314-95-0
No ECHA 100.013.863
No CE 215-248-7
PubChem 426379
SMILES
InChI
Propriétés chimiques
Formule SSnSnS
Masse molaire[1] 150,775 ± 0,012 g/mol
S 21,27 %, Sn 78,73 %,
Propriétés physiques
fusion 882 °C[2]
ébullition ~1 230 °C[2]
Solubilité Pratiquement insoluble dans l'eau[2]
Masse volumique 5,22 g·cm-3[2]
Cristallographie
Système cristallin Orthorhombique
Classe cristalline ou groupe d’espace Pnma (no 62)
Paramètres de maille a = 1 118 pm,
b = 398 pm,
c = 432 pm[3]
Précautions
SGH[4]
SGH07 : Toxique, irritant, sensibilisant, narcotique
Attention
H315, H319, H335, P261, P304+P340, P305+P351+P338 et P405

Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.

Le sulfure d'étain(II) est un composé chimique de formule SnS. Il se présente sous la forme d'un solide sombre grisâtre ou brunâtre, insoluble dans l'eau mais soluble dans l'acide chlorhydrique concentré ainsi que dans le sulfure d'ammonium (NH4)2S. Il présente une structure en couches semblable à celle du phosphore noir et peut, de la même manière que dernier, être exfolié en phase liquide pour libérer des couches minces de SnS d'épaisseur atomique aux propriétés semiconductrices avec une largeur de bande interdite d'environ 1,5 eV, supérieure à celle du cristal massif[5].

Le sulfure d'étain cristallise dans le système cristallin orthorhombique, groupe d'espace Pnma (no  62) avec comme paramètres de maille a = 1118,0(6) pm, b = 398,2(2) pm, c = 432,9(3) pm et nombre d'unités par maille Z=4[3].

Il peut être préparé en faisant réagir de l'étain métallique avec du soufre élémentaire, ou en faisant réagir du chlorure d'étain(II) SnCl2 avec du sulfure d'hydrogène H2S.

Sn + S → SnS ;
SnCl2 + H2S → SnS + 2 HCl.

Il fait l'objet de recherches comme couche active pour cellules photovoltaïques à couches minces. En effet, le tellurure de cadmium CdTe et le CIGS CuInxGa1-xSe2, qui sont couramment utilisés comme couches actives de type p, sont produits à partir d'éléments toxiques ou rares[6], tandis que le sulfure d'étain(II) est constitué d'éléments abondants et non toxiques. Ses propriétés optiques et électroniques conviennent également à ce type d'utilisation, avec une largeur de bande interdite de 1,3 à 1,4 eV[7].

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