佐々木昭夫 (工学者)

学位はPh.D.（カリフォルニア大学バークレー校・1966年）および工学博士（京都大学・1976年）。京都大学および大阪電気通信大学名誉教授、ユタ大学 Clyde Chair（招へい教授）。

「混晶半導体」を提唱し、新学術分野に発展に寄与した。「電子材料シンポジウム」を通じて若手人材の育成も行った。

研究内容は混晶半導体の物理と光デバイス。

1. 混晶半導体研究の先駆者

   Al_xGa_1-xAs、GaAs_1-xP_x 等では、構成比率xは可変であり、構成半導体のAlAs、GaAs、GaP の性質は保存されており、さらに元素配列に不規則の存在が考えられる。こうした事柄はAlAs、GaAs、GaP、ZnSiP₂等の化合物半導体と全く異なるものであり、新しい範疇の半導体とすることを学会等で啓蒙を行い（科研費特定研究混晶エレクトロニクス）、「混晶半導体」と名付けることを提唱した。当初、専門家から異論が唱えられていたが、現在、周知され専門書、教科書にも用いられている。その後、不規則性の存在を示す理論的研究を行った。その内容は、米国大学院の教科書に紹介されている (A. Rockett, The Materials Science of Semiconductors, Springer)。

2. 不規則超格子の研究

   ミクロの原子配列がマクロの新しい特性を創出することを、超格子の層幅、層電位を不規則にすることにより、発光特性の増大することを示した（三菱財団研究助成）。これは、人工によるAnderson Localizationの実現と考えられている。

3. 量子ドットの先駆的研究

   GaAs上にInAsを成長させた時にできる凸状の性質を調べ、量子ドットに使用できることを提唱する（結晶成長学会論文賞）。

4. 光、電子デバイスの直接集積による新デバイスの研究

   ホトトランジスタと発光ダイオードを集積し光増幅機能素子を作製した（電子情報通信学会業績賞）。

5. 液晶大形表示の研究

   レーザ書込みにより、液晶分子の規則、不規則配列を利用した大形ディスプレイの実演を行った。

6. シンポジュームの設立

   電子材料シンポジウム (Electronic Materials Symposium, EMS) を設立し、EMS賞を設けた。2019年現在で38回の開催。電子材料関係者に広く討論の場を提供し、若手人材育成に貢献してきた。EMS賞は若手研究者の奨励となっている。

• 1951年4月 - 京都大学工学部電気工学科に入学。
• 1955年3月 - 京都大学工学部電気工学科卒業。
• 1957年3月 - 京都大学大学院工学研究科電気工学専攻修了。
  • 神戸工業（現デンソーテン）に入社。
• 1963年2月 - 米国カリフォルニア大学バークレー校電気工学博士課程入学。
• 1966年1月 - カリフォルニア大学バークレー校 Ph.D.。
• 1966年3月 - 京都大学工学部助手。
• 1967年4月 - 京都大学工学部助教授。
• 1970年4月 - 福井大学非常勤講師、20年間、講義26回。
• 1976年3月 - 京都大学工学博士。
• 1977年1月 - 京都大学工学部教授、電気工学科電気応用工学講座担任。
• 1985年7～12月 - 英国シェフィールド大学客員上級研究員。
• 1996年3月 - 京都大学を定年退官。同大名誉教授。
• 1996年4月 - 大阪電気通信大学工学部教授。図書館長、エレクトロニクス基礎研究所長。
• 1997年3～8月 - 米国ユタ大学Clyde講座招聘教授。
• 2003年3月 - 大阪電気通信大学定年退職、同大名誉教授。

• 1985年 - 米国情報表示学会長表彰
• 1987年 - 電子情報通信学会業績賞「光増幅機能素子の研究」
• 1988年 - Society for Information Display Fellow
• 1989年 - 米国情報表示学会長表彰
• 1996年 - 日本結晶成長学会第13回論文賞「InAs/GaAsヘテロエピタキシャル成長」
• 1997年 - W.W.Clyde Chair Award
• 2001年 - 電気学会業績賞
• 2011年 - 応用物理学会第3回化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）「III-V族半導体における規則性、不規則性の究明とその応用に関する研究」
• 2019年 - 第19回応用物理学会業績賞（教育業績）『新学術分野「混晶エレクトロにクス」の創成と若手人材育成への貢献』