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Zinkarsenid

chemische Verbindung From Wikipedia, the free encyclopedia

Zinkarsenid ist eine anorganische chemische Verbindung des Zinks aus der Gruppe der Arsenide.

Schnelle Fakten Kristallstruktur, Allgemeines ...
Kristallstruktur
Kristallstruktur von Zinkarsenid
_ Zn2+ 0 _ As3−
Allgemeines
Name Zinkarsenid
Andere Namen

Trizinkdiarsenid

Verhältnisformel Zn3As2
Kurzbeschreibung

grauer geruchloser Feststoff[1]

Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer 12006-40-5
EG-Nummer 234-486-2
ECHA-InfoCard 100.031.338
PubChem 25147458
Wikidata Q8072291
Eigenschaften
Molare Masse 346,01 g·mol−1
Aggregatzustand

fest[2]

Dichte

5,53 g·cm−3 (25 °C)[2]

Schmelzpunkt

1015 °C[2]

Löslichkeit

nahezu unlöslich in Wasser[3]

Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung aus Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 (CLP),[4] ggf. erweitert[2]
Gefahrensymbol Gefahrensymbol

Gefahr

H- und P-Sätze H: 301​‐​331​‐​410
P: 261​‐​273​‐​301+310​‐​311​‐​501[2]
Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa).
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Gewinnung und Darstellung

Zinkarsenid kann durch Reaktion von Zink mit Arsen unter Stickstoff bei 700 °C gewonnen werden.[1]

Eigenschaften

Zinkarsenid ist ein grauer Feststoff mit metallischer Leitfähigkeit. Durch Säuren erfolgt Zersetzung unter Arsenwasserstoff-Entwicklung.[1]

Die Verbindung besitzt eine tetragonal innenzentrierte Kristallstruktur (a = 1178 pm, c = 2364 pm) mit der Raumgruppe I41cd (Raumgruppen-Nr. 110)Vorlage:Raumgruppe/110. Sie enthält drei kristallographisch verschiedene Zinkatome, die aber alle tetraedrisch von Arsenatomen koordiniert sind. Bei erhöhter Temperatur erfolgt Umwandlung in andere Strukturen.[1] Die Verbindung ist ein II-V-Halbleiter.[5]

Das bei sonst gleichen Bedingungen bei Arsen-Überschuss entstehende schwarzgraue Zinkdiarsenid ZnAs2 schmilzt bei 768 °C und besitzt eine monokline Kristallstruktur mit der Raumgruppe P21/c (Nr. 14)Vorlage:Raumgruppe/14.[1]

Verwendung

Zinkarsenid wird zur Dotierung und zur Herstellung von Arsenwasserstoff in der Halbleiterindustrie verwendet.[6][7]

Einzelnachweise

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