JFET
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| JFET (Transistor de efecto campo de unión) | ||
|---|---|---|
 Esquema interno de un transistor JFET de canal P | ||
| Principio de funcionamiento | Efecto de campo | |
| Invención | William Shockley, 1951 | |
| Símbolo electrónico | ||
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| Terminales | Puerta (G), Drenaje (D) y Fuente (S). | |
El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo de juntura o unión) es un tipo de dispositivo electrónico de tres terminales que puede ser usado como interruptor electrónicamente controlado, amplificador o resistencia controlada por voltaje. Posee tres terminales, comúnmente llamados drenaje (D), puerta o compuerta (G) y fuente (S)..
A diferencia del transistor de unión bipolar el JFET, al ser un dispositivo controlado por un voltaje de entrada, no necesita de corriente de polarización. La carga eléctrica fluye a través de un canal semiconductor (de tipo N o P) que se halla entre el drenaje y la fuente. Aplicando una tensión eléctrica inversa al terminal de puerta, el canal se "estrecha" de modo que ofrece resistencia al paso de la corriente eléctrica. Un JFET conduce entre los terminales D y S cuando la tensión entre los terminales G y S (VGS) es igual a cero (región de saturación), pero cuando esta tensión aumenta en módulo y con la polaridad adecuada, la resistencia entre los terminales D y S crece, entrando así en la región óhmica, hasta determinado límite cuando deja de conducir y entra en corte. La gráfica de la tensión entre los terminales D y S (VDS) en el eje horizontal contra la corriente del terminal D (ID o corriente de drenaje) es una curva característica y propia de cada JFET.
Un JFET tiene una gran impedancia de entrada (que se halla frecuentemente en el orden de 1010 Ω), lo cual significa que tiene un efecto despreciable respecto a los componentes o circuitos externos conectados a su terminal de puerta.
El físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 1925[1] y en los Estados Unidos en los años 1926[2] y 1928[3][4] patentes para un dispositivo que se considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo, pero no lo construyó.
En 1947, los físicos estadounidenses William Shockley, Walter Houser Brattain y John Bardeen fracasaron en sus intentos de construir un transistor de efecto de campo, pero cuando analizaban las fallas que su diseño presentaba, descubrieron el transistor de contacto de punto por el cual los dos últimos solicitaron una patente el 17 de junio de 1948[5]
En 1951, Wiliam Shockley solicitó la primera patente de un transistor de efecto de campo,[6] tal como se declaró en ese documento, en el que se mencionó la estructura que posee en la actualidad. Al año siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron éxito al fabricar este dispositivo,[7] cuya nueva patente fue solicitada el 31 de octubre de 1952.[8]
![{\displaystyle I_{D}=k{\bigg [}2V_{DS}(V_{GS}-V_{p})-{V_{DS}}^{2}{\bigg ]}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/49f89199199974f85988e04c702ed4e836b181c1)
