Nitruro de indio
compuesto químico
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El nitruro de indio (InN) es un material semiconductor con una pequeña banda prohibida que lo hace potencialmente útil para aplicaciones en células fotoeléctricas y electrónica de alta velocidad[1] La banda prohibida del InN ha sido ahora establecida como ~0.7 eV pero depende de la temperatura[2] (el valor anterior es 1.97 eV).[3]
La masa efectiva del electrón ha sido recientemente determinada usando mediciones con altos campos magnéticos [4][5] como m*=0.055 m0. En aleación con el nitruro de galio (GaN) forma el sistema ternario nitruro de galio-indio (InGaN) que tiene una banda prohibida directa desde el intervalo infrarrojo (0.65eV) hasta el ultravioleta (3.4eV)
