Silicato de hafnio
From Wikipedia, the free encyclopedia
| Silicato de hafnio | ||
|---|---|---|
| General | ||
| Fórmula molecular | HfSiO4 | |
| Identificadores | ||
| Número CAS | 13870-13-8[1] | |
| ChemSpider | 16470992 | |
| PubChem | 17979268 | |
| Propiedades físicas | ||
| Masa molar | 271,903135 g/mol | |
El silicato de hafnio es la sal de hafnio(IV) del ácido silícico con la fórmula química HfSiO4.
Las películas delgadas de silicato de hafnio y silicato de circonio obtenidas por deposición de capas atómicas, deposición química en fase vapor o MOCVD pueden utilizarse como dieléctricos de alta k en sustitución del dióxido de silicio en los dispositivos semiconductores modernos.[2] La adición de silicio al óxido de hafnio aumenta la brecha de banda, al tiempo que disminuye la constante dieléctrica. Además, aumenta la temperatura de cristalización de las películas amorfas e incrementa aún más la estabilidad térmica del material con Si a altas temperaturas.[3] A veces se añade nitrógeno al silicato de hafnio para mejorar la estabilidad térmica y las propiedades eléctricas de los dispositivos.
