LDMOS

Le LDMOS (laterally-diffused metal-oxide semiconductor, en français : semi-conducteur-métal-oxyde diffusé latéralement)^[1] est un MOSFET planar à double diffusion (transistor à effet de champ à semi-conducteur-métal-oxyde) utilisé dans les amplificateurs, y compris les amplificateurs de puissance micro-ondes, les amplificateurs de puissance RF et les amplificateurs de puissance audio. Ces transistors sont souvent fabriqués sur des couches épitaxiales en silicium p/p⁺. La fabrication des composants LDMOS implique principalement divers cycles d’implantation ionique et de recuit ultérieur^[1]. Par exemple, la région de dérive de ce MOSFET de puissance est fabriquée à l’aide de jusqu’à trois séquences d’implantation ionique afin d’obtenir le profil de dopage approprié nécessaire pour résister à des champs électriques élevés.

Le LDMOS RF (LDMOS radiofréquence) au silicium est l’amplificateur de puissance RF le plus utilisé dans les réseaux mobiles^[2],[3],[4], permettant la majorité du trafic cellulaire et de données dans le monde^[5]. Les dispositifs LDMOS sont largement utilisés dans les amplificateurs de puissance RF pour stations de base, car la demande est d’une forte puissance de sortie avec une tension de claquage drain/source généralement supérieure à 60 volts^[6]. Comparés à d’autres composants comme les FET GaAs, ils présentent une fréquence de gain de puissance maximale plus faible.

Les fabricants de dispositifs LDMOS et les fonderies proposant des technologies LDMOS comprennent Tower Semiconductor (en), TSMC, LFoundry, Samsung, GlobalFoundries, Vanguard International Semiconductor Corporation (en), STMicroelectronics, Infineon Technologies, RFMD (en), NXP Semiconductors (y compris l’ancien Freescale Semiconductor), SMIC, MK Semiconductors, Polyfet et Ampleon.