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Oxyde de hafnium(IV)

composé chimique From Wikipedia, the free encyclopedia

L'oxyde d'hafnium(IV), ou dioxyde d'hafnium, ou encore hafnie, est un composé chimique de formule brute HfO2. Il se présente sous la forme d'un solide incolore, pratiquement insoluble dans l'eau et les solvants organiques. Il s'agit d'un isolant électrique ayant une largeur de bande interdite d'environ 6 eV[3]. C'est le composé le plus commun et le plus stable de l'hafnium, ainsi qu'un intermédiaire de procédés de production d'hafnium métallique. On peut l'obtenir par chauffage de 600 à 1 000 °C de l'hydroxyde, de l'oxalate, du sulfate ou de l'oxychlorure d'hafnium.

Nom UICPAdioxohafnium
Synonymes

dioxyde d'hafnium

Faits en bref Identification, Nom UICPA ...
Oxyde d'hafnium(IV)

Apparence de l'oxyde d'hafnium(IV)


__ Hf4+     __ O2−
Maille cristalline de l'oxyde d'hafnium(IV)
Identification
Nom UICPA dioxohafnium
Synonymes

dioxyde d'hafnium

No CAS 12055-23-1
No ECHA 100.031.818
No CE 235-013-2
PubChem 292779
SMILES
InChI
Propriétés chimiques
Formule HfO2
Masse molaire[1] 210,49 ± 0,02 g/mol
Hf 84,8 %, O 15,2 %,
Propriétés physiques
T° fusion 2 774 °C[2]
Masse volumique 9,68 g·cm-3[2]

Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.
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Il possède une dureté élevée, un faible coefficient de dilatation thermique, et est chimiquement très semblable à la zircone ZrO2. Cristallisé dans le système monoclinique à température ambiante, il connaît une transition de phase vers un système quadratique autour de 1 700 °C.

Usage

L'oxyde d'hafnium(IV) est employé comme revêtement optique ainsi que dans l'industrie des semi-conducteurs comme diélectrique high-κ de condensateurs pour DRAM en raison de sa permittivité de 24[4] — à comparer à 3,9 pour le dioxyde de silicium SiO2.

HfO2 est utilisé pour la production des mémoires de masse, compatible à mémoire CMOS[5], nommée FeFETs et des transistors[6].

L'oxyde d'hafnium est également étudié comme amplificateur de radiothérapie dans le traitement de cancers solides[7]. Un premier essai de phase II/III a démontré son efficacité[8].

Notes et références

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