Potentiel photovoltaïque de surface
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Le potentiel photovoltaïque de surface ou la tension photovoltaïque de surface (SPV, pour l'anglais surface photovoltage) est une différence de potentiel électrique à la surface d’un semi-conducteur induite par l'illumination, résultant de la génération de paires électron-trou et de leur transport dans la région proche de la surface. Ce phénomène, étroitement lié à la courbure des bandes d'énergie dans les zones de charge d'espace, est utilisé comme technique de caractérisation des propriétés électroniques des semi-conducteurs, en particulier pour l'étude de la diffusion des charges, de la recombinaison et de la distance de diffusion des porteurs minoritaires[1].
À la surface non éclairée d’un semi-conducteur, il se forme souvent une zone de charge d’espace (space charge region) due à des défauts de surface ou à la passivation, générant un champ électrique local et provoquant le fléchissement des bandes d’énergie par rapport au niveau de Fermi[2].
Sous illumination, les photons génèrent des paires électron-trou ; les porteurs minoritaires peuvent atteindre la surface et compenser la charge de surface, entraînant ainsi la variation du potentiel de surface – c’est le potentiel photovoltaïque de surface[3].
La variation du SPV dépend de l’absorption de la lumière dans le matériau, de la longueur de diffusion des porteurs minoritaires, du niveau de dopage, de la présence de centres de recombinaison de surface et des propriétés de la barrière de surface.
Méthodes expérimentales
La mesure du SPV est utilisée pour l’étude des surfaces et la caractérisation des porteurs minoritaires. On distingue les méthodes avec contact et sans contact[1].
Sonde Kelvin et KPFM
La principale technique sans contact est la sonde Kelvin (Kelvin probe) et microscopie à sonde de Kelvin (Kelvin Probe Force Microscopy, KPFM). La sonde mesure la différence de potentiel entre l’échantillon et l’électrode dans l’obscurité et sous illumination ; cette différence correspond au SPV. Le KPFM permet de cartographier le SPV avec une résolution nanométrique, ce qui est utile pour étudier les hétérostructures[2], les matériaux 2D[2] et les irrégularités locales de surface[4].
Spectroscopie SPV
La mesure du SPV en fonction de la longueur d’onde permet de contrôler la profondeur de génération des porteurs[5] et de déterminer la longueur de diffusion des porteurs minoritaires et les propriétés de la barrière de surface[6].
Structures MIS et autres configurations
Les structures métal‑isolant‑semi-conducteur (MIS) permettent d’étudier sélectivement les interfaces et de contrôler la profondeur de génération des charges. Les facteurs expérimentaux incluent la température de l’échantillon, la longueur d’onde de la lumière et la présence de centres de recombinaison de surface[2].
