EKV MOSFET Model
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EKV Mosfet Model はMOS電界効果トランジスタの特性を表現する数学的モデルで、回路シミュレーションやアナログ回路設計で利用されることを目的としたものである[1]。 このモデルは C. C. Enz、F. Krummenacher、E. A. Vittoz （彼等3名の頭文字をとってEKVとした）らが1980年代に行った仕事の集大成として1995年頃に開発されたものである[2]。 MOSFETの特性を電圧の2乗特性で表現する 2乗モデル (Quadratic Model)とは異なり、EKV ModelはMOSFETが閾値領域（例：Vbulk=Vsource の条件でかつ Vgate-source < VThresholdの時）での動作も正確に表現できる。加えて、サブミクロン CMOS IC 設計で取り扱う多くの特別な効果も正確に表現している。