ジョン・L・モル
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オハイオ州フルトン郡のWauseonに、メノナイトで農民の両親の間に生まれ、オハイオ州立大学で1943年に物理学の学士号を取得し、1944～45年にはランカスターのRCA研究所に在籍していた。1952年にオハイオ州立大学で電気工学の博士号を取得した。
1952年から1958年まで、ベル研究所で半導体技術の研究グループを率いた。そこで、半導体材料としてのシリコンの優位性を認識し、二酸化ケイ素によるトランジスタのマスキング、ガス拡散によるドーピング、半導体-金属コンタクトなどの技術開発に関わった[1]。
1958年から1972年までスタンフォード大学の教授を務めた。1970年からフェアチャイルドセミコンダクター社、1974年から1996年に退職するまでヒューレット・パッカード社に在籍した。
バイポーラトランジスタの動作を数学的に説明する、Ebers-Mollモデル[2]は、エバースとモルにちなんで命名された[3]。また二人は1950年代半ばにサイリスタを開発したパイオニアでもある（モルは1956年にpnpn構造として実現）[4]。
