短チャネル効果

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電子工学において短チャネル効果は、チャネル長がソースとドレインの接合の空乏層幅に相当するMOSFETで起こる。 短チャネル効果には、ドレイン誘起障壁低下速度飽和ホットキャリア劣化などがある[1][2]

関連項目

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