短チャネル効果 From Wikipedia, the free encyclopedia 電子工学において短チャネル効果は、チャネル長がソースとドレインの接合の空乏層幅に相当するMOSFETで起こる。 短チャネル効果には、ドレイン誘起障壁低下、速度飽和、ホットキャリア劣化などがある[1][2]。 ↑ F. D’Agostino, D. Quercia. “Short-Channel Effects in MOSFETs”. 2008年11月27日閲覧。 ↑ Principles of Semiconductor Devices. 7.7. Advanced MOSFET issues 関連項目 チャネル長変調 逆短チャネル効果 Related Articles