電界効果テトロード

ここで、第1チャンネルの電圧を ${\displaystyle V_{1}-V_{2}}$、第2チャンネルの電圧を${\displaystyle V_{3}-V_{4}}$、第1チャンネルの電流を ${\displaystyle I_{1}}$、第2チャンネルの電流を${\displaystyle I_{2}}$とすると、次式が与えられる。

${\displaystyle I_{1}=G_{1}(V_{1}-V_{2})\left[1-{\frac {2}{3V_{p}^{1/2}}}{\frac {(V_{1}-V_{3})^{(3/2)}-(V_{2}-V_{4})^{(3/2)}}{(V_{1}-V_{3})-(V_{2}-V_{4})}}\right]}$

${\displaystyle I_{2}=G_{2}(V_{3}-V_{4})\left[1-{\frac {2}{3V_{p}^{1/2}}}{\frac {(V_{3}-V_{1})^{(3/2)}-(V_{4}-V_{2})^{(3/2)}}{(V_{3}-V_{1})-(V_{4}-V_{2})}}\right]}$,

ここで、${\displaystyle G_{i}}$ はチャネルの低電圧コンダクタンス、 ${\displaystyle V_{p}}$ はピンチオフ電圧（各チャネルで同じと仮定）である。

電界効果テトロードは、信号電圧によって抵抗値が変調されない、高直線性特性の電子可変抵抗器（ポテンショメータ）として使用することができる。

信号電圧はバイアス電圧、ピンチオフ電圧、接合部耐圧を超えることがあり、その限界は散逸に依存する。信号電流はチャネル抵抗に反比例して流れる。信号は空乏層を変調しないので、電界効果四極トランジスタは高い周波数で機能する。同調比は非常に大きくすることができ、対称的なピンチオフ条件では、高抵抗の限界はメガオームの域に達する^[4]。