Flächentransistor

Ein Flächentransistor ist eine frühe Konstruktionsform eines Bipolartransistors, der im Englischen als junction transistor bezeichnet wird. Im Gegensatz zum ersten praktisch realisierten Spitzentransistor („Punktkontakt-Transistor“) werden die Emitter- und Kollektorgebiete nicht durch Aufsetzen zweier Metallspitzen kontaktiert und formiert, sondern weisen flächenhafte Kontaktflächen für die drei Halbleiterzonen (Basis, Emitter und Kollektor) auf.^[1]

Der erste Flächentransistor wurde bereits 1948 von William Bradford Shockley beschrieben und zum Patent angemeldet,^[2] aber erst nach dem ersten Spitzentransistor praktisch realisiert, und war ein gezogener Transistor aus Germanium.^[3] Das Fertigungskonzept des Flächentransistors hatte sich rasch durchgesetzt, auch da zahlreiche Abwandlungen und weitere Verbesserungen Bipolartransistoren mit besseren Eigenschaften ermöglichen. Zu nennen sind hierbei vor allem der Legierungs- und der Diffusionstransistor. Später folgte der Bipolartransistor in Planartechnik sowie Epitaxialtransistoren. Praktisch gesehen sind nahezu alle heutigen Bipolartransistoren der Gruppe der Flächentransistoren zuzuordnen.