Germanium(II)-iodid

chemische Verbindung From Wikipedia, the free encyclopedia

Germanium(II)-iodid (GeI2) ist eine anorganische chemische Verbindung des Germaniums aus der Gruppe der Iodide.

Schnelle Fakten Kristallstruktur, Allgemeines ...
Kristallstruktur
Kristallstruktur von Germanium(II)-iodid
_ Ge2+ 0 _ I
Raumgruppe

P3m1 (Nr. 164)Vorlage:Raumgruppe/164[1]

Allgemeines
Name Germanium(II)-iodid
Andere Namen

Germaniumdiiodid

Verhältnisformel GeI2
Kurzbeschreibung

gelber Feststoff[2]

Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer 13573-08-5
EG-Nummer 236-998-1
ECHA-InfoCard 100.033.620
PubChem 6327215
Wikidata Q4202647
Eigenschaften
Molare Masse 326,45 g·mol−1
Aggregatzustand

fest[3]

Dichte

5,37 g·cm−3 (25 °C)[3]

Schmelzpunkt

428 °C[4]

Siedepunkt

550 °C (Zersetzung)[4]

Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung[3]
Gefahrensymbol

Gefahr

H- und P-Sätze H: 314
P: 280305+351+338310[3]
Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0°C, 1000 hPa).
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Gewinnung und Darstellung

Germanium(II)-iodid kann durch Reaktion von Germanium(IV)-iodid in Iodwasserstoffsäure mit Phosphinsäure und Wasser gewonnen werden.[2]

Ebenfalls möglich ist die Darstellung durch Reaktion von Germanium(II)-sulfid oder Germanium(II)-oxid mit Iodwasserstoffsäure bzw. aus Germanium mit Iod bei 200 – 400 °C.[2]

Weitere Darstellungsmöglichkeiten sind:[5]

Eigenschaften

Germanium(II)-iodid ist ein gelber kristalliner Feststoff, der in trockener Luft bei Raumtemperatur beständig ist, jedoch in Gegenwart von Feuchtigkeit langsam zu Germanium(II)-hydroxid hydrolysiert. Er ist unlöslich in Kohlenwasserstoffen, aber wenig löslich in Chloroform und Tetrachlormethan. Die Verbindung besitzt eine Kristallstruktur des Polytyps 2H des Cadmiumiodid-Typs (a = 413 pm; c = 679 pm).[2] Sie disproportioniert bei 550 °C in Germanium(IV)-iodid und Iod.[6] Mit Ethin reagiert sie zu einem dimeren Komplex mit zyklischer Struktur.[7]

Verwendung

Germanium(II)-iodid bildet stabile ionische Addukte mit Carbenen.[3] Es wird auch in der Elektronikindustrie zur Herstellung von Germaniumschichten per Epitaxie durch Disproportionierung verwendet.[8]

Einzelnachweise

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