Séléniure d'indium(III)
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| Séléniure d'indium(III) | |
| __ In3+ __ Se2− Structure cristalline du séléniure d'indium(III) |
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| Identification | |
|---|---|
| No CAS | |
| No ECHA | 100.031.821 |
| No CE | 235-016-9 |
| PubChem | 6390731 |
| SMILES | |
| InChI | |
| Apparence | solide gris argenté indodore[1] |
| Propriétés chimiques | |
| Formule | In2Se3 |
| Masse molaire[2] | 466,52 ± 0,1 g/mol In 49,22 %, Se 50,78 %, |
| Propriétés physiques | |
| T° fusion | 960 °C[1] |
| Masse volumique | 5,67 g/cm3[1] |
| Précautions | |
| SGH[1] | |
| H373, H410, P260, P264, P311, P301+P310, P304+P340 et P403+P233 |
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| Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire. | |
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Le séléniure d'indium(III) est un composé chimique de formule In2Se3. Il se présente sous la forme d'un solide gris argenté à noir, assez mou, facilement soluble dans les acides forts[3]. On en connaît cinq phases notées α, β, γ, δ et κ dont les plus courantes sont les phases α et β, qui ont une structure lamellaire, tandis que la phase γ présente une structure cristalline wurtzite déficiente en indium. Cette dernière revêt un intérêt comme semiconducteur pour composants photovoltaïques, avec une largeur de bande interdite d'environ 1,9 eV[4].
La forme cristalline dépend de la méthode de croissance. Ainsi, des couches minces d'In2Se3 pur de structure γ ont été obtenues par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD) à partir de triméthylindium In(CH3)3 et de séléniure d'hydrogène H2Se[5].
Le séléniure d'indium bidimensionnel, c'est-à-dire n'ayant que quelques couches atomiques d'épaisseur, présente d'excellentes propriétés électroniques[6]. Sa sensibilité à l'air a conduit au développement de plusieurs techniques pour l'encapsuler afin de permettre son intégration aux composants électroniques[7].