サムコ
From Wikipedia, the free encyclopedia
| 種類 | 株式会社 |
|---|---|
| 機関設計 | 監査役会設置会社[1] |
| 市場情報 | |
| 本社所在地 |
 日本〒612-8443 京都府京都市伏見区竹田藁屋町36番地 |
| 設立 |
1979年（昭和54年）9月 （株式会社サムコインターナショナル研究所） |
| 業種 | 機械 |
| 法人番号 | 4130001014511 |
| 事業内容 | 半導体等電子部品製造装置メーカー |
| 代表者 |
辻理（代表取締役会長兼CEO） 川邊史（代表取締役社長兼COO） |
| 資本金 | 12億1378万7288円 |
| 発行済株式総数 | 804万2881株(2022年7月期) |
| 売上高 |
64.0億円 （2022年7月期） |
| 営業利益 |
13.7億円 （2022年7月期） |
| 純利益 |
10.5億円 （2022年7月期） |
| 純資産 |
100.5億円 （2022年7月31日現在） |
| 総資産 |
133.7億円 （2022年7月31日現在） |
| 従業員数 | 173人（2022年7月31日現在） |
| 決算期 | 7月31日 |
| 主要株主 |
一般財団法人サムコ科学技術振興財団 12.4％ 辻 理 10.9% サムコエンジニアリング（株） 10.6% （2022年7月31日現在） |
| 外部リンク | https://www.samco.co.jp/ |
| 特記事項：各種経営指標は2022年7月期 | |
サムコ株式会社（英: SAMCO Inc.）は、本社を京都市に置く、半導体等の電子部品製造装置のメーカー。CVD装置、ドライエッチング装置、ドライ洗浄装置等を製造・販売している。2001年5月30日にJASDAQ上場。2014年1月9日に東証1部上場。東京証券取引所の市場区分の見直しにより、2022年4月より東証1部からプライム市場に移行。
1979年（昭和54年）、代表取締役会長の辻理が京都市伏見区の雑居ビル1階のガレージで株式会社サムコインターナショナル研究所として設立。社員2名で太陽光電池用のアモルファスシリコン薄膜形成用プラズマCVD装置を製作していた。2021年1月に装置販売累計4,000台を発表している。
高輝度LED用途や各種レーザー用途のオプトエレクトロニクス分野と、パワーデバイスやSAWフィルター用途の電子部品分野の売上が70%を占める。MEMS用途や窒化ガリウム（GaN）や炭化ケイ素（SiC）を加工材料とするパワーデバイス用途の製品の販売に注力している。
社名（SAMCO）は、Semiconductor And Materials Company－半導体と材料開発の分野で躍進していくことから名付けられている。
製品
- プラズマCVD装置
- LS-CVD装置
- ALD装置
- RIE装置
- ICPエッチング装置
- 高速Siディープエッチング装置
- XeF2ドライエッチング装置
- Aqua Plazmaクリーナー
- プラズマクリーナー
- UVオゾンクリーナー
サムコの技術
- LS-CVD（Liquid Source Chemical Vapor Deposition：液体ソースCVD） - カソードカップリング方式のプラズマCVD装置。SiH4に比べて安全な液体原料TEOSを気化させ、プラズマ中のイオンを利用できる。そして、カソード側のシース電界で得られるイオンエネルギーを制御することで、応力、膜密度などを制御し、カバレージ性が得られる。カソード方式では、自己バイアスによるイオンアシストで成膜するため、アノード方式に比べ、低温下での成膜が可能。
- トルネードICP - ICPエッチング装置の中核となるコイル部分を3次元構造にしたICPコイル。コイル配置に自由度を持たせることで、高均一なプラズマを生成することができる。GaN、GaAs、InPなどの化合物半導体の加工から、Siや各種金属薄膜の加工が可能。
- ボッシュプロセス - 等方性エッチングと保護膜の堆積の二つのステップを交互に繰り返すことで、シリコンの深掘りを高速かつ高アスペクト比で実現したエッチング技術。エッチングにはSF6、保護膜にはC4F8が主に使用され、高い選択比を保持し、高異方性エッチングを可能にする。サムコはドイツのロバート・ボッシュ社によって1992年に開発されたボッシュプロセスのライセンスを、2003年にサムコは日本の半導体製造装置メーカーで初めて取得した。ボッシュプロセスは、加速度センサー、ジャイロセンサー等の自動車部品分野、μTAS等の医療機器分野、3次元デバイス等のMEMS市場で幅広く使用されている。
沿革
- 1979年9月 - 半導体製造装置の製造及び販売を目的として、株式会社サムコインターナショナル研究所を設立
- 1981年4月 - 国産初の化合物半導体製造用MOCVD（Metal Organic Chemical Vapor deposition、有機金属気相成長法）装置の開発、販売を開始
- 1985年6月 - 京都市伏見区竹田田中宮町33番地（現・藁屋町36番地）に本社を移転。米国マーチインスツルメンツ社（現・Nordson Corporation社）の製品の販売を開始
- 1987年2月 - 米国カリフォルニア州シリコンバレーにオプトフィルムス研究所を開設
- 1994年2月 - 米国シンメトリックス社の技術を用いた「強誘電体成膜装置」の製造、販売を開始
- 1995年7月 - 薄膜技術を使った特定フロン無公害化技術の基本技術の開発
- 1997年11月 - キリンビール株式会社と共同で、プラスチックボトルにDLC（ダイヤモンド・ライク・カーボン）膜を形成する技術を開発
- 2000年1月 - 英国ケンブリッジ大学内に研究所を開設
- 2001年
- 2003年12月 - ドイツのロバート・ボッシュ社からシリコンの高速ディープエッチング技術を導入
- 2004年
- 11月 - 中国上海市に上海事務所を開設
- 12月 - サムコ株式会社に社名変更。日本証券業協会への店頭登録を取消し、ジャスダックに株式を上場
- 2006年9月 - 中国清華大学とナノ加工技術の共同研究で調印
- 2008年
- 2009年1月 - 「サムコグローバルサービス（莎姆克股分有限公司）」が営業を開始
- 2010年
- 8月 - 米国ノースカロライナ州に米国東部事務所を開設
- 9月 - 中国北京市に北京事務所を開設
- 2012年5月 - ベトナム・ホーチミン市にベトナムサービスオフィスを開設
- 2013年7月24日 - 東京証券取引所第二部に市場変更[3]。
- 2014年
- 1月9日 - 東京証券取引所第一部銘柄に指定[4]。
- 5月 - リヒテンシュタイン公国UCP Processing Ltd.の株式90％を取得し、子会社化。のちにsamco-ucp AGに社名変更
- 2015年
- 9月 - 公募増資により資本金を16億6,368万円に増資
- 12月 - スウェーデン Epiluvac ABとSiCエピタキシャル成膜装置の販売代理店契約を締結電子デバイス向け原子層堆積装置AL-1の開発・販売を開始
- 2016年
- 6月 - 第二生産技術棟（京都市伏見区）が完成
- 8月 - マレーシアにマレーシア事務所を開設
- 9月 - Aqua Plasmaを用いたプラズマ洗浄装置AQ-2000の開発、販売を開始
- 2018年12月 - 汎用ICPエッチング装置RIE-200iPNの販売を開始
- 2020年7月 - 第二生産技術棟内にCVD装置のデモルームを開設
- 2021年12月 - 電子デバイス製造向けクラスターツールシステム「クラスターH™」の販売を開始
- 2022年
- 3月 - 第二研究開発棟内にナノ薄膜開発センターを立ち上げ
- 4月 - 東京証券取引所の市場区分の見直しにより、東京証券取引所第一部からプライム市場へ移行
