静電容量の比較

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静電容量の比較（せいでんようりょうのひかく）では、静電容量を比較できるよう、昇順に表にする。

因数 SI接頭語 値 説明
10−45 1.798 × 10−45F プランク容量
10−15 フェムトファラド（fF） 2 fF MOSFETにおけるゲート幅 1μm あたりのゲート容量[1]
10−14 30 fF DRAMセル[2]
10−13 100 fF 小容量のセラミックコンデンサ[3]
150 fF Pin to pin capacitance in a SSOP/TSSOP integrated circuit package.[4][5]
10−12 ピコファラド（pF） 1 pF 小容量のマイカコンデンサ、PTFEコンデンサ[3]
2 pF ブレッドボードの隣り合う列における寄生容量[6]
4 pF Capacitive sensing of air-water-snow-ice.[7]
5 pF 低容量のコンデンサマイク
10−11 12 pF 典型的な 10:1パッシブプローブ (オシロスコープ用)[8]
45 pF 可変コンデンサ (バリコン)
49 pF Yoga mat of TPE[9] with relative permittivity of 4.5[10] and 8 mm thick sandwiched between two 1 dm² electrodes.
50 pF 1mのカテゴリー5ネットワークケーブル (ツイストペアにおける導体間)
10−10 100 pF Capacitance of the standard human body model.
1mの 50Ω 同軸ケーブル (内側と外側の導体間)
高容量のコンデンサマイク
330 pF 可変コンデンサ (バリコン)
10−9 ナノファラド（nF） 1 nF 典型的なライデン瓶
10−8
10−7 100 nF 小容量のアルミ電解コンデンサ[3]
820 nF 大容量のマイカコンデンサ、PTFEコンデンサ[3]
10−6 マイクロファラド（µF）
10−5
10−4 100 µF 大容量のセラミックコンデンサ[3]
10−3 ミリファラド（mF） 6.8 mF 小容量の電気二重層コンデンサ[3]
10−2
10−1
100 ファラド（F） 1 F 地表と電離層の間の容量[11]
1.5 F 大容量のアルミ電解コンデンサ[3]
101
102
103 キロファラド（kF） 5 kF 大容量の電気二重層コンデンサ[3]

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