Intel 1103
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L'Intel 1103 est un circuit intégré (CI) de mémoire vive dynamique (DRAM) développé et fabriqué par Intel. Introduit en octobre 1970, la 1103 fut le premier circuit intégré DRAM commercialement disponible ; et en raison de sa petite taille physique et de son faible prix par rapport à la mémoire à tores magnétiques, il remplaça celle-ci dans beaucoup d'applications[1],[2]. Quand il fut introduit en 1970, les rendements initiaux de production étaient faibles, et ce n'est qu'au cinquième stepping des masques de production qu'il est devenu disponible en grandes quantités en 1971. Intel expédia la 250000e puce de RAM 1103 en juin 1974[3].
Développement
En 1969, William Regitz et ses collègues d'Honeywell inventèrent une cellule mémoire (en) dynamique à trois transistors et commencèrent à prospecter l'industrie des semi-conducteurs pour trouver un fabricant. La société Intel Corporation récemment fondée répondit et développa deux puces 1024 bits très similaires, la 1102 et la 1103, sous la direction de Joel Karp, travaillant en étroite collaboration avec William Regitz[4]. Finalement, seule la 1103 fut mise en production.
Microsystems International (en) devint la première seconde source du 1103 en 1971[5]. Ensuite, National Semiconductor, Signetics et Synertek fabriquèrent également la 1103.
Détails techniques
| tRWC | 580 ns | Temps de cycle de lecture ou d'écriture aléatoire (d'un front de précharge +ve au suivant) |
| tPO | 300 ns | Temps d'accès : de Precharge High jusqu'à la sortie de données valides |
| tREF | 2 ms | Intervalle de rafraichissement |
| VCC | 16 V | Tension d'alimentation |
| p-MOS | 8 μm[6] | Procédé de fabrication (MOSFET à grille au silicium) |
| Capacité | 1024x1 | Capacité x largeur bus |
