Z-RAM
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Cet article est une ébauche concernant l’électronique.
La Z-RAM (Zero-capacitor Random Access Memory) est un type de mémoire DRAM développé par Innovative Silicon[1].
Selon ses promoteurs, une mémoire Z-RAM serait aussi rapide qu'une mémoire SRAM tout en étant plus compacte étant donné qu'elle n'utiliserait qu'un transistor (sans condensateur) pour stocker un bit d'information. La taille de la cellule est plus petite que celle de la SRAM[2], mais devrait être un peu moins rapide[2].
Son principe est basé sur l'effet de corps flottant (floating body effect) de la technologie silicium sur isolant (en anglais, silicon on insulator ou SOI)[3].
Une mémoire Z-RAM basée sur la technologie silicium sur isolant serait très onéreuse à produire et, de ce fait, serait réservée à des applications de niche.
