熱CVD

熱CVD法は、高純度の薄膜が形成できる、被覆性が良い、装置構成が比較的簡易、プラズマによる損傷が無い、選択成長が可能、などの長所を有する。一方短所としては、利用できる製膜温度や基板・原料ガスに制約があること、低温では膜の質が落ちやすい、などが挙げられる。

CVD装置の構成には幾つか種類があり、下記のような特徴で分類される^[1]。

• 反応室全体を加熱する（ホットウォール型）、基板台のみを加熱して反応室は冷却する（コールドウォール型）
• 横型（構造が簡易）、縦型（温度分布、応答速度、ガスの流量制御などに優れる）
• バッチ処理（複数枚を同時に処理）、枚葉式（一枚ずつ処理）、連続処理（コンベア式）
• 圧力（加圧／常圧／減圧）
• 触媒の利用（触媒CVD法）
• 有機金属原料の利用（MOCVD法）

熱反応下において原料ガスと酸化剤または還元剤を混合し、希望する材料を生成する。原料比と反応温度、反応容器設計により反応が決定される。

熱CVD法の用途は多彩であり、下記のような様々な薄膜の形成に用いられる。

• PSG (phospho silicate glass)、BPSG (boron phospho silicate glass)、シリコン酸化膜など^[1]
• タングステン、MoSi、窒化シリコン^[1]
• 化合物半導体 - SiGeなど^[1]
• カーボンナノチューブの生成^[2]