Arséniure d'aluminium-indium

L'arséniure d'aluminium-indium, également arséniure d'indium-aluminium ou AlInAs (Al_xIn_1−xAs), est un matériau semi-conducteur III-V ayant presque la même constante de réseau que GaInAs, mais une bande interdite plus large. Dans la formule ci-dessus, x est un nombre compris entre 0 et 1 - ceci indique un alliage arbitraire entre InAs et AlAs. La formule AlInAs doit être considérée comme une forme abrégée de celle ci-dessus, et non comme une composition particulière.

L'arséniure d'aluminium-indium est par exemple utilisé comme couche tampon dans les transistors HEMT métamorphiques, où il sert à ajuster les différences de constante de réseau entre le substrat GaAs et le canal en GaInAs. Il peut aussi être utilisé pour former des couches alternées avec l'arséniure de gallium-indium, qui agissent comme puits quantiques ; ces structures sont par exemple utilisées dans des lasers à cascade quantique à large bande.