Tellurure de gallium(II)

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Nom UICPAtellanylidènegallium
Nom systématiquetellurure de gallium(II)
Tellurure de gallium(II)
Image illustrative de l’article Tellurure de gallium(II)
__ Ga2+       __ Te2-
Maille cristalline du tellurure de gallium(II)
Identification
Nom UICPA tellanylidènegallium
Nom systématique tellurure de gallium(II)
No CAS 12024-14-5
No ECHA 100.031.524
No CE 234-690-1
PubChem 14496722
SMILES
InChI
Apparence solide inodore[1]
Propriétés chimiques
Formule GaTe
Masse molaire[2] 197,32 ± 0,03 g/mol
Ga 35,34 %, Te 64,67 %,
Propriétés physiques
fusion 824 °C[3]
Masse volumique 5,751 g/cm3[3]
Précautions
SGH[1]
SGH07 : Toxique, irritant, sensibilisant, narcotique
Attention
H302, H315, H319, H335, P280, P312, P301+P330+P331, P302+P352, P304+P340, P332+P313 et P337+P313
NFPA 704[1]

Symbole NFPA 704.

 

Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.

Le tellurure de gallium(II) est un composé chimique de formule GaTe. C'est un semi-conducteur à gap direct[4] avec une largeur de bande interdite de 1,65 eV[5],[6]. Il se présente sous la forme de flocons noirs, mous, aux reflets gras et brillants, s'écrasant facilement.

On le connaît sous quatre structures cristallines, les deux polymorphes principaux étant l'α-GaTe, cristallisé dans le système monoclinique selon le groupe d'espace C2/m (no 12), et le β-GaTe, cristallisé dans le système hexagonal selon le groupe d'espace P63/mmc (no 194), comme le séléniure de gallium(II) GaSe. Dans la forme α, chaque atome de gallium est lié à un autre atome de gallium et à trois atomes de tellure, ce qui donne une géométrie tétraédrique. Chaque atome de tellure est, quant à lui, lié à trois atomes de gallium dans une géométrie pyramidale trigonale, ce qui donne une structure feuilletée. La forme β est métastable et donne la forme α à haute température[7]. Les autres polymorphes de GaTe sont monocliniques[3],[8],[9].

Le tellurure de gallium(II) peut être obtenu par réaction directe de gallium métallique avec du tellure élémentaire[3] :

Ga + Te ⟶ GaTe.

Il est également possible de le faire croître par MOCVD[10].

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