Transistor à contact ponctuel
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23 décembre 1947 |
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1951 |
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| Statut patrimonial |
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Le transistor à contact ponctuel (point-contact transistor, en anglais) est le premier transistor fonctionnel de l'histoire de l'électricité et de l'électronique, inventé en 1947 par les physiciens américains William Shockley, John Bardeen, et Walter Houser Brattain, des Laboratoires Bell, prix Nobel de physique en 1956 pour cette invention.
Les physiciens américains John Bardeen et Walter Houser Brattain, dirigés par William Shockley, ont créé et inventé ce premier transistor électronique le dans les Laboratoires Bell de AT&T de Murray Hill (New Jersey) près de New York, à titre de recherche alternative aux tube électronique et triode de l'époque, et à la suite de leurs travaux de recherche sur les effets du champ électrique sur les semi-conducteurs, inspirés de travaux antérieurs tels que la diode à pointe ou la découverte du principe de transistor à effet de champ MESFET de Julius Edgar Lilienfeld, de 1925 (histoire du transistor (en))[1],[2].
Ce transistor bipolaire semi-conducteur au germanium est constitué de trois électrodes base, collecteur et émetteur en or, avec un effet de fonction logique binaire et d'amplificateur électronique du signal d'entrée jusqu'à 100 fois[3],[4].
Il est breveté en 1950[5] et commercialisé à partir de 1951 par Western Electric Company de AT&T[6], à l'origine et suivit du transistor bipolaire au silicium de 1954.
William Shockley fonde en 1955 son laboratoire de recherche-industrie Shockley Semiconductor Laboratory, de Mountain View (Californie), pour fabriquer ses premiers transistors au germanium et concevoir en particulier ses futurs transistors au silicium et diode Shockley (en) des années 1950, industrie pionnière considérée comme un des berceaux incubateurs historiques de la Silicon Valley (la vallée du silicium) en Californie).
L'invention du transistor révolutionne alors rapidement l'utilisation des tube électronique et triode d'alors, beaucoup plus fiable, économique et miniaturisable, à l'origine en particulier de l'électronique numérique binaire avec les premiers ordinateurs à transistors (en) (1953), radios à transistors (en) (1954), fondation de Fairchild Semiconductor (1957) et de la Silicon Valley, invention du circuit intégré à base de milliers de transistors (1958), de la loi de Moore (1965) prédisant un doublement du nombre de transistors des composant semi-conducteur et microprocesseurs tout les 2 ans durant plusieurs décennies, d'Intel (1968), des microprocesseurs avec le premier Intel 4004 (1971) avec 2 250 transistors et 60 000 opérations par seconde, et avec jusqu'à plus de 200 milliards de transistors par microprocesseurs à ce jour (fabrication des dispositifs à semi-conducteurs de la loi « More than Moore » des années 2020).
