Classe Asahi (2016)

L’acquisition de ce destroyer débute en 2013 afin de répondre à la diminution du nombre de destroyers en service au sein de la force maritime d’autodéfense japonaise, notamment avec le retrait progressif de la classe Hatsuyuki. Ce bâtiment se caractérise principalement par un accent renforcé sur la lutte anti-sous-marine et par l’adoption d’un système de propulsion de type COGLAG (Combined Gas Turbine Electric and Gas Turbine), une évolution du système COGAG intégrant une propulsion électrique pour la navigation à faible vitesse. Un second destroyer est commandé l’année suivante^[2],[3].

La classe Asahi s’appuie sur la conception existante des destroyers de la classe Akizuki afin de réduire les coûts d’acquisition et de permettre des évolutions et modernisations ultérieures. Contrairement à la classe Akizuki, principalement orientée vers la lutte antiaérienne, la classe Asahi est conçue avant tout pour la lutte anti-sous-marine^[4].

La classe Asahi constitue la première série de navires de guerre japonais à être équipée d’un système de propulsion de type COGLAG, ce qui lui permet d’améliorer son efficacité énergétique par rapport aux bâtiments précédents. Une autre caractéristique distinctive de ce destroyer réside dans l’emploi d’un radar multifonction à antenne active à balayage électronique (AESA) utilisant la technologie au nitrure de gallium (GaN). La classe Asahi est la deuxième classe japonaise à intégrer cette technologie, après la classe Akizuki. Le radar du destroyer dérive du modèle FCS-3A utilisé sur la classe Akizuki et recourt au nitrure de gallium afin d’en accroître les performances^[4]. Dans le domaine des radars, le nitrure de gallium présente plusieurs avantages par rapport à l’arséniure de gallium (GaAs), plus couramment employé. Il offre notamment une densité de puissance plus élevée, un meilleur rendement énergétique, une meilleure dissipation thermique et une couverture de fréquences plus large. Ces caractéristiques permettent de concevoir des puces GaN plus compactes que leurs équivalents en GaAs, réduisant ainsi les coûts tout en améliorant l’efficacité économique globale^[5].